SiC errektifikatzaileak

STMicroelectronics-en silicio karburo azkarrak Schottky diodoak egituratzen ditu

STMicroelectronics-en "silizio karburo Schottky diodoak egituratuta" aldatzen da diseinatzaileek eraginkortasun eta potentzia dentsitate maila altuagoa lortzeko. 2 A eta 40 A bitarteko egungo estaldurak, ST-ren 650 V eta 1200 V SiC diodo familien artean, DECAK HV (goi tentsioko) eta D²PAK edo D²PAK edo auto-kualifikatuak dituzten AEC-Q101 gailuak daude. TO-220AC eta TO-247LL (buru luzea) paketeak.

STS 1200 V silicio-karburo (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) diodoek diseinatzaileen beharrei erantzuteko eraginkortasun handiagoa, pisu txikia, tamaina txikia eta ezaugarri termikoak hobetuko dituzte errendimendurako aplikazioetarako.

Aurrerako tentsio bikaina eskaintzen du (V baxua)_F) eta punta-puntako sendotasuna, ST 1200 1200 SiC diodoek askatasun gehigarria eskaintzen dute efizientzia eta fidagarritasuna lortzeko uneko indize txikiagoa eta, beraz, kostu txikiagoa lortzen duten bitartean, funtzionamendu-tenperatura murrizten eta aplikazioaren bizitza luzatzen duten bitartean. Egokitasuna bermatzen dute etengailu moduko bihurgailu eta inbertsore guztietan, non potentzia-dentsitate eta eraginkortasun handiak behar diren, hala nola SMPS, UPS, eguzki eta motor unitateetan.

Gaur egungo balorazioak estalita, 2 A eta 40 A bitartekoak, ST 1200 V SiC diodo familiak barne hartzen ditu industriarako eta baita automobil kualifikatutako AEC-Q101 gailuak DPAK HV (goi tentsioan) eta D²PAK edo zulo bidez eginiko gailuetan. -220AC eta TO-247LL (berune luzeko) paketeak.

ST-k 1200 V SiC-k estandar altuak eta forma faktore txikiak lortzea ahalbidetzen du.